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首先,其中,碳化硅功率芯片是整套高压系统的核心,它的耐压等级和开关频率直接决定了充电速度的上限。问题在于,大多数车企的碳化硅芯片来自通用供应商,这些芯片是面向整个行业生产的标准品,不会为某家车企的特定电压平台单独定制优化,性能被锁死在通用品的参数范围内。
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其次,最近,美国国家交通安全管理局举办了全国自动驾驶汽车安全论坛,邀请了三家公司的CEO出席。
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第三,在零下30摄氏度环境,从20%SoC充电到97%SoC,会比常温环境下慢3分钟。
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最后,这套逻辑也在具体的市场验证中得到了反馈。
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